Включения в термообработанном сапфире
Евгения, 25.08.2019
Здравствуйте, уважаемый Аметистов. Привезли из Шри-Ланки мне учебное пособие. Розовато-желтый сапфир слабой насыщенности, 7x5 мм, сертификат CGL, угловые границы роста нашла. На переднем плане я вижу отрицательные кристаллы, глубже пустые канальца от рутила, «переформированный» термообработкой «отпечаток пальца» и «гало». Очень жду Ваших критических замечаний. Спасибо большое, что находите время для форума.
Аметистов, 26.08.2019
1 - Термин "отрицательный кристалл", К СОЖАЛЕНИЮ, имеет два значения. Первое - ОПТИЧЕСКИ отрицательный кристалл" связано с двулучепреломлением анизотропной среды и относится к кристаллам, в которых скорость распространения необыкновенного луча выше скорости распространения обыкновенного луча. Опять же, К СОЖАЛЕНИЮ, во множестве работ пытаются применить термин ОПТИЧЕСКИ "отрицательный кристалл" к включениям, в том числе, как кристаллическим, так и жидким. Хотя определить ТОЧНО, какой там кристалл образовал, в качестве "второй фазы" включения, достаточно СЛОЖНО.
2 - Второе значение того же термина относится к ЖИДКИМ И ГАЗОВЫМ ВКЛЮЧЕНИЯМ - микродефектам, которые в монокристаллической среде образуют объемную ФОРМУ границ, которая соответствует ГАБИТУСУ кристаллизации материнского кристалла. Действительно, жидкие и газовые включения внутри материнского монокристалла "ограняются" теми же плоскостями, что и сам кристалл при росте. Однако, если в монокристалле образуется микродефект с той же сингонией и с тем же ростовым габитусом, что и материнский кристалл, то форма включения будет такая же, как и в случае газовых или жидких включений, НО, обязательно появятся НАПРЯЖЕНИЯ, которые связаны с различием геометрических размеров элементарной ячейки. Поэтому, если вокруг микродефектов видны НАПРЯЖЕНИЯ в виде интерференционных полос, гало, более мелких выделений вокруг микродефекта и т. д.), то принято считать, что включение НЕ ВЫЗЫВАЕТ НАПРЯЖЕНИЙ В ОКРУЖАЮЩЕЙ РЕШЕТКЕ, что свидетельствует о некристаллическом строении включения (аморфное или газовое включение). И ... ВСЁ. То есть, очень сложных научных мыслей вокруг весьма спорного термина "отрицательный кристалл" НЕТ. Было бы намного ПОНЯТНЕЙ ВСЕМ, если бы в случае обозначения газовых и аморфных включений применялся термин ... газовые или аморфные включения". И ... всё. Так как кроме этого их факта отсутствия напряжений абсолютно ничего не следует. Абсолютно ничего. Откуда вся неразбериха? Как обычно, неправильный ... перевод первого сообщения: Crystal ? - N (negative). Отрицание утверждения Кристалл? ... а получилось как European values = Европейские ценности (хотя это европейский уровень жизни ...), то есть, ерунда получилась.
3 - Теперь о Вашем заключении о "цепочке мелких включений" (так ведь?) как о жидких или газообразных ... Это правильный ответ в том смысле, что эти включения в цепочке не искажают решетку. Как обычно есть подвох. Если бы был Sph-N, то этот вывод был бы преждевременным, так как область напряжений вокруг мелких микродефектов выявляется исключительно после термической обработки и восходящей диффузии фоновых примесей в область растяжения и сжатия вокруг дефекта. А для Вашего сапфира Sph-H этот вывод правильный.
4 - Пустых канальцев от рутила в кристалле НЕТ, так как такие канальца ... газовые, а вокруг видимых Вами линий образовалось клинообразное гало. То есть, напряжения ЕСТЬ!Так что это цепочка обрывов сплошности решетки - край дислокационной стенки. Проверьте, если правильно, то контраст при повороте вокруг воображаемой линии дефекта должен существенно меняться. Если это не так, значит плотность дислокаций в стенке крайне низкая.
5 - Все остальные дефекты идентифицированы Вами правильно. По крайней мере опровергнуть это можно только с помощью электронной микроскопии (на просвет).
Главное и категоричное. Проводить ДИСТАНЦИОННОЕ индивидуальное обучение нам затруднительно. Подробно ответили исключительно потому, что был представлен информативный материал. Успехов Вам.